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HGTD7N60C3S9A

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTD7N60C3S9A
Beschreibung: IGBT 600V 14A 60W TO252AA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 23nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 60W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung -
Schalten der Energie 165µJ (on), 600µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252AA
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 14A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 2489 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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