Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
HGTD3N60C3S9A
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGTD3N60C3S9A |
| Beschreibung: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 10.8nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 33W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Testbedingung | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252AA |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 6A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 68 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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