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HGTD3N60C3S9A

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTD3N60C3S9A
Beschreibung: IGBT 600V 6A 33W TO252AA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 10.8nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 33W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Schalten der Energie 85µJ (on), 245µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252AA
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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