Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
HGTD1N120BNS9A
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGTD1N120BNS9A |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 60W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Testbedingung | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| Basis-Teilenummer | HGTD1N120 |
| Schalten der Energie | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 15ns/67ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252AA |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 5.3A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 5344 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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