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HGT1S2N120CN

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGT1S2N120CN
Beschreibung: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 30nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 104W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Testbedingung 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Schalten der Energie 96µJ (on), 355µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 25ns/205ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 13A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 20A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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