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HGT1S20N60A4S9A
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGT1S20N60A4S9A |
| Beschreibung: | IGBT 600V 70A 290W TO263AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 290W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Testbedingung | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 15ns/73ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-263AB |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 70A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 280A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 71 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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