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HGT1S20N36G3VL

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGT1S20N36G3VL
Beschreibung: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Logic
Gate Charge 28.7nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 150W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Testbedingung 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C -/15µs
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 37.7A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 395V

Auf Lager 57 pcs

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