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HGT1S12N60A4S9A

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGT1S12N60A4S9A
Beschreibung: IGBT 600V 54A 167W TO263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 78nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 167W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Basis-Teilenummer HGT1S12N60
Schalten der Energie 55µJ (on), 50µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 17ns/96ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 54A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 96A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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