HGT1S12N60A4S9A
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | HGT1S12N60A4S9A |
Beschreibung: | IGBT 600V 54A 167W TO263AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 78nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 167W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | HGT1S12N60 |
Schalten der Energie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 17ns/96ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263AB |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 54A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1