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H11G2W

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: H11G2W
Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Darlington with Base
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 5300Vrms
Vce Sättigung (Max.) 1V
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 80V
Lieferanten-Gerätepaket 6-DIP
Strom - Ausgang / Kanal -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 1000% @ 10mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 5µs, 100µs
Strom - DC Forward (If) (Max) 60mA

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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