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H11G2M_F132
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Datenblatt: | H11G2M_F132 |
| Beschreibung: | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannung - Isolierung | 4170Vrms |
| Vce Sättigung (Max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) | - |
| Spannung - Ausgang (Max) | 80V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-DIP |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) | - |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) | 1000% @ 10mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) | 5µs, 100µs |
| Strom - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Auf Lager 84 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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