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H11B1VM

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: H11B1VM
Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Darlington with Base
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 4170Vrms
Vce Sättigung (Max.) 1V
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 30V
Lieferanten-Gerätepaket 6-DIP
Strom - Ausgang / Kanal 150mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 500% @ 1mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 25µs, 18µs
Strom - DC Forward (If) (Max) 80mA

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.36 $0.35 $0.35
Minimale: 1

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