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H11A817DW

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: H11A817DW
Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Transistor
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 5300Vrms
Vce Sättigung (Max.) 200mV
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Spannung - Ausgang (Max) 70V
Lieferanten-Gerätepaket 4-DIP
Strom - Ausgang / Kanal 50mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) 600% @ 5mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 300% @ 5mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) -
Strom - DC Forward (If) (Max) 50mA

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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