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FQPF6N90

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FQPF6N90
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 56W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.) 52nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1880pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 65 pcs

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