Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FJV4102RMTF
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | FJV4102RMTF |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | FJV4102 |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 10 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 30 @ 5mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 90 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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