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FJP9100TU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: FJP9100TU
Beschreibung: TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 40W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN - Darlington
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 5mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 500mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 275V

Auf Lager 94 pcs

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