FJNS3212RBU
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Datenblatt: | FJNS3212RBU |
Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 300mW |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-92S |
Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 1mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 40V |
Auf Lager 99 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1