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FJNS3203RBU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: FJNS3203RBU
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92S
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 56 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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