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FGY60T120SQDN
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | FGY60T120SQDN |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 60A UFS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 311nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 517W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 52ns/296ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 60A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 120A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 450 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.47 | $8.30 | $8.13 |
Minimale: 1
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