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FGB5N60UNDF

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGB5N60UNDF
Beschreibung: IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 12.1nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 73.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 80µJ (on), 70µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 5.4ns/25.4ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB (D²PAK)
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 15A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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