FGB30N6S2DT
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGB30N6S2DT |
Beschreibung: | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 23nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 167W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | FGB30N6 |
Schalten der Energie | 55µJ (on), 100µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 6ns/40ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263AB |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Reverse Recovery Time (trr) | 46ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 45A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 108A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 81 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1