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FGB20N6S2

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGB20N6S2
Beschreibung: IGBT 600V 28A 125W TO263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 30nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 125W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Schalten der Energie 25µJ (on), 58µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 7.7ns/87ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 28A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 63 pcs

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