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FGA70N30TDTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA70N30TDTU
Beschreibung: IGBT 300V 201W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 125nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 201W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung -
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 300V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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