FGA50T65SHD
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGA50T65SHD |
Beschreibung: | IGBT 650V 100A 319W TO-3PN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 87nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 319W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Testbedingung | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 1.28mJ (on), 384µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 22.4ns/73.6ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3PN |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Reverse Recovery Time (trr) | 34.6ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 900 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.99 | $3.91 | $3.83 |
Minimale: 1