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FGA50T65SHD

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA50T65SHD
Beschreibung: IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 87nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 319W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.28mJ (on), 384µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 22.4ns/73.6ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr) 34.6ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 150A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 900 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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