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FGA50N100BNTDTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA50N100BNTDTU
Beschreibung: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT and Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 275nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 156W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung -
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 100A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1000V

Auf Lager 446 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.63 $4.54 $4.45
Minimale: 1

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