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FGA50N100BNTD2
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | FGA50N100BNTD2 |
| Beschreibung: | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 257nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 156W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Testbedingung | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 34ns/243ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1000V |
Auf Lager 52 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.10 | $4.02 | $3.94 |
Minimale: 1
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