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FGA40N65SMD
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | FGA40N65SMD |
| Beschreibung: | IGBT 650V 80A 349W TO3P |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 119nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 349W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 820µJ (on), 260µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 12ns/92ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-3PN |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 423 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.87 | $2.81 | $2.76 |
Minimale: 1
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