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FGA25N120FTD

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA25N120FTD
Beschreibung: IGBT 1200V 50A 313W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 160nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 313W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Schalten der Energie 340µJ (on), 900µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 48ns/210ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr) 770ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 75A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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