FGA25N120FTD
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGA25N120FTD |
Beschreibung: | IGBT 1200V 50A 313W TO3P |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 160nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 313W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Testbedingung | 600V, 25A, 15Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 340µJ (on), 900µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 48ns/210ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
Reverse Recovery Time (trr) | 770ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 79 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1