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FDU8770

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDU8770
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (Max.) 115W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 73nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3720pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 69 pcs

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