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FDU6N25

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDU6N25
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UniFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 250pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 5028 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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