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FDS6679Z

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDS6679Z
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) +20V, -25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 94nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3803pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 78 pcs

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Minimale: 1

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