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FDS5170N7

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDS5170N7
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 10.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 71nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2889pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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