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FDS4435BZ

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDS4435BZ
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1845pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 19927 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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