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FDS2670

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDS2670
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 43nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1228pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4706 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.65 $1.62 $1.58
Minimale: 1

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