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FDR838P

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDR838P
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3300pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 91 pcs

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