FDP3632
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDP3632 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 310W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 110nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 6000pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Ta), 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 2065 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.07 | $3.01 | $2.95 |
Minimale: 1