Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

FDP10AN06A0

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDP10AN06A0
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.5mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (Max.) 135W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1840pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDI3652
ON Semiconductor
$0
FDG314P
ON Semiconductor
$0
MTM231230L
Panasonic Electronic Components
$0
MTM231100L
Panasonic Electronic Components
$0
2SK302200L
Panasonic Electronic Components
$0