FDN5632N-F085
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDN5632N-F085 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 82mOhm @ 1.7A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.1W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 475pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 2375 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.46 | $0.45 | $0.44 |
Minimale: 1