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FDN5618P_G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | FDN5618P_G |
| Beschreibung: | INTEGRATED CIRCUIT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 500mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.8nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 430pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.25A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 74 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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