FDN359AN
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDN359AN |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 46mOhm @ 2.7A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 500mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 480pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 80966 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1