FDMS86202ET120
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDMS86202ET120 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 7.2mOhm @ 13.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | Power56 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 64nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4585pF @ 60V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.5A (Ta), 102A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.08 | $2.04 | $2.00 |
Minimale: 1