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FDMS86202ET120

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDMS86202ET120
Beschreibung: MOSFET N-CH 120V POWER56
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket Power56
Gate Charge (Qg) (Max.) 64nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4585pF @ 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.08 $2.04 $2.00
Minimale: 1

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