FDMS4D4N08C
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDMS4D4N08C |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4.3mOhm @ 44A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 125W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PQFN (5x6), Power56 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4090pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 123A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 88 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.08 | $1.06 | $1.04 |
Minimale: 1