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FDMS1D4N03S

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDMS1D4N03S
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®, SyncFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Body)
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.09mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (Max.) 74W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 65nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10250pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 211A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 5760 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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