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FDMS1D2N03DSD

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDMS1D2N03DSD
Beschreibung: PT11N 30/12 & PT11N 30/12
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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