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FDME820NZT

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDME820NZT
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerUFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket MicroFet 1.6x1.6 Thin
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 865pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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