FDMD8530
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | FDMD8530 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 35A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 2.2W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.25mOhm @ 35A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | Power56 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 149nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 10395pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A |
Auf Lager 4116 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1