FDMA291P
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDMA291P |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2.4W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 14nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1000pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 2209 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.64 | $0.63 | $0.61 |
Minimale: 1