Image is for reference only , details as Specifications

FDI150N10

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDI150N10
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 49A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max.) 69nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4760pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 790 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.05 $2.01 $1.97
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRLI540GPBF
Vishay / Siliconix
$2.05
FCPF11N60
ON Semiconductor
$2.05
SIHA4N80E-GE3
Vishay / Siliconix
$2.04
STF8NM50N
STMicroelectronics
$2.04
STF5N62K3
STMicroelectronics
$2.04