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FDI025N06

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDI025N06
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (Max.) 395W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max.) 226nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 14885pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 265A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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