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FDG311N

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDG311N
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 750mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 270pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 7492 pcs

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