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FDFMA3N109

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDFMA3N109
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-MicroFET (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 220pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 20500 pcs

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