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FDD2512

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDD2512
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 420mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 344pF @ 75V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 57 pcs

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